CENTRO DE INVESTIGACIÓN Y DE ESTUDIOS AVANZADOS

DEL IPN

MATERIALES-CINVESTAV

76230 QUERÉTARO, QRO.

Información general

Programa de posgrado

Dependencia a cargo del programa: Unidad Querétaro.

Nombre del titular de la dependencia: Dr. Jesús González Hernández, Jefe de la Unidad.

Nombre del responsable del programa: Dr. Arturo Mendoza Galván, Coordinador Académico.

Dirección postal: Apartado postal 1-798, 76001 Querétaro, Qro.

Dirección y teléfonos: Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla CP 76230, Querétaro, Qro. Tel.: (442) 441 49 48 , Fax: (442) 441 49 33.

Dirección electrónica: academica@qro.cinvestav.mx, cieauaq@ciateq. net.mx.

Página en red: http://www.qro.cinvestav.mx.

Plan de estudios: semestral.

Becas: CONACyT.

PROGRAMA DE MAESTRÍA

Requisitos de admisión:

1. Haber concluido la totalidad de los créditos de Licenciatura con un promedio mínimo de 8, en carreras de Ingenierías afines a la Ciencia e Ingeniería de Materiales, así como en Física, Matemáticas, Química, Electrónica.
2. Entregar la solicitud proporcionada por la Coordinación Académica debidamente llenada y con los documentos requeridos.
3. Presentar el examen de evaluación.
4. Aprobar los cursos propedéuticos.

Examen de evaluación (mayo): Se examinan los temas contemplados en los Cursos Propedéuticos, desde un nivel básico hasta el nivel esperado al término de dichos cursos.

Cursos propedéuticos (junio-agosto): Su objetivo es nivelar, ampliar y organizar los conocimientos necesarios para ingresar al programa de Maestría. Materias: Termodinámica. Física General. Métodos Matemáticos. Química General.

Plan de estudios:

primer semestre (septiembre-enero):

• Mecánica de Materiales,
• Métodos Matemáticos y Numéricos,
• Estructura Atómica y Molecular de la Materia.

segundo semestre (enero-mayo):

• Propiedades Eléctricas,
• Magnéticas y Ópticas de Materiales,
• Termodinámica de Materiales,
• (*) Química de Materiales ó (*) Bioquímica.

verano (junio-agosto):

• Propiedades y Caracterización de Materiales.

tercer semestre (septiembre-enero):

• Cinética de Materiales,
• Optativa,
• (*) Teoría del Estado Sólido ó (*) Diseño de Experimentos.

cuarto semestre (enero-mayo):

• Optativa,
• Seminario de Tesis.

De las materias marcadas con asterisco (*) en los semestres 2º y 3º, se escoge una dependiendo de la línea de investigación de interés. Las materias Optativas de los semestres 3º y 4º, se eligen de acuerdo con el tema de tesis.

materias optativas:

• Física Bioquímica.
• Polímeros.
• Tecnología de Cereales.
• Materiales Compuestos y Cerámicos.
• Mecánica Cuántica.
• Electromagnetismo.
• Física de Semiconductores.
• Solidificación de Metales y Aleaciones.
• Física de Dispositivos Opto-electrónicos.
• Física de Dispositivos Electrónicos.
• Fenómenos de Superficie.
• Procesamiento de Materiales.
• Métodos Numéricos y Simulación.
• Ciencia de Materiales de Películas Delgadas.
• Espectroscopia Raman y Absorción Infrarroja.
• Propiedades Eléctricas de Materiales.
• Propiedades Ópticas de Materiales.
• Recubrimientos Duros.
• Fenómenos de Transporte en Operaciones de Procesamiento de Materiales Temas Selectos I y II.

Tesis

En el Seminario de tesis del 4^° semestre, el estudiante realiza dos presentaciones públicas de su proyecto de tesis y con la presencia de su Comité de tesis.

Requisitos para obtener el grado:

1. Obtener un promedio final de mínimo de 8.
2. Escribir una tesis producto de su trabajo de investigación.
3. Defender exitosamente la tesis ante un jurado.

PROGRAMA DE DOCTORADO

Requisitos de admisión:

1. Haber concluido la totalidad de los créditos de Maestría con un promedio mínimo de 8 en programas de Ciencia o Ingeniería de Materiales, Física, Química o afines.
2. Entregar la solicitud proporcionada por la Coordinación Académica debidamente llenada con los documentos requeridos.
3. Presentarse a una entrevista con la Comisión de Admisión.
4. Aprobar el examen de admisión (junio y noviembre).

El ingreso al programa de doctorado es semestral, en enero y septiembre. La Comisión de Admisión, emitie un dictamen de acuerdo con los resultados del examen.

Plan de estudios:

El plan de estudios tiene una duración de 36 meses durante los cuales el estudiante deberá dedicar tiempo completo. La mayor parte de ese tiempo se dedicará al desarrollo de su tema de investigación. Entre las actividades académicas a realizar se encuentran:

1. Aprobar los cursos dictaminados durante el ingreso.
2. Aprobar dos cursos del programa de Maestría, siendo al menos uno del bloque de cursos optativos.
3. Ser asistente de profesor en los cursos propedéuticos u obligatorios del programa de Maestría, en al menos una ocasión.
4. Presentar semestralmente ante el Comité de tesis respectivo el avance de tesis.
5. Entregar anualmente un informe de avance de tesis por escrito.
6. Participar como ponente en eventos académicos del área de la Ciencia e Ingeniería de Materiales.

Tesis

Desde su ingreso el estudiante y director (es) de tesis elaboran el anteproyecto de tesis. Este anteproyecto se somete a consideración de un Comité Doctoral previamente designado y se expone antes de concluir el primer semestre.

Requisitos para obtener el grado:

1. Haber cumplido con las actividades académicas del programa
2. Tener un promedio final de mínimo de 8.
3. Aprobar el examen predoctoral.
4. Escribir una tesis producto de su trabajo de investigación.
5. Presentar y aprobar el Seminario Final de Tesis ante el Comité Doctoral.
6. Defender exitosamente la tesis ante un jurado.

Investigadores

Arámbula Villa, Gerónimo, Dr.,
Cinvestav-IPN (1998). Biotecnología. (E): Ciencia y tecnología de alimentos. Dirección electrónica: garambula@qro.cinvestav.mx, gearvi@ciateq.net.mx.

Castanedo Pérez, Rebeca, Dra.,
Cinvestav-IPN (1992). Física del Estado Sólido. (E): Semiconductores. Dirección electrónica: rcastanedo@qro.cinvestav.mx.

Espinoza Beltrán, Francisco Javier, Dr.,
Cinvestav-IPN (1992). Física. (E): Técnicas de fabricación de películas delgadas, semiconductores, recubrimientos vitrocerámicos, técnicas fotoacústicas, simulación. Dirección electrónica: fespinoza@qro.cinvestav.mx, fespin@ciateq.net.mx.

Figueroa Cárdenas, Juan de Dios, Dr.,
North Dakota State University, ND, EUA (1990). Ciencia y Tecnología de Cereales (E): Bioquímica. Dirección Electróica: jfigueroa@qro.cinvestav.mx, figueroa@ciateq.net.mx.

González Hernández, Jesús, Dr.,
Universidad Estatal de Campinas, Brasil (1980). Física. (E): Estado sólido, física de materiales. Dirección electrónica: gonzalez@qro.cinvestav.mx, gonzalez@ciateq.mx.

Herrera Gómez, Alberto, Dr.,
Standford University, Estados Unidos (1994). Física del Estado Sólido. (E): estado sólido. Dirección electrónica: aherrera@qro.cinvestav.mx, alberto@ciateq.net.mx.

Jiménez Sandoval, Omar, Dr.,
Universidad Nacional Autónoma de México (1997). Ciencias Químicas (E): Química Inorgánica. Dirección electrónica: ojimenez@qro.cinvestav.mx, omarjs@ciateq.net.mx.

Jiménez Sandoval, Sergio Joaquín, Dr.,
Cinvestav-IPN (1989). Materia Condensada. (E): Espectroscopía Raman, propiedades ópticas. Dirección electrónica: sjimenez@qro.cinvestav.mx, sjimenez@ciateq.net.mx.

Luna Bárcenas, Gabriel, Dr.,
Universidad de Texas, Estados Unidos (1997). Química. (E): Fisicoquímica de polímeros. Síntesis y caracterización. Procesamiento y Polimerización en fluídos supercríticos. Termodinámica molecular. Dirección Electrónica: gluna@qro.cinvestav.mx.

Manzano Ramírez, Alejandro, Dr.,
Universidad de Sheffield, Inglaterra (1989). Ciencia de Materiales, (E): Metalurgia. Dirección Electrónica: amanzano@qro.cinvestav.mx, manzano@sunserver.uaq.mx.

Mendoza Galván, Arturo, Dr.,
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (1996). Física del Estado Sólido.(E): Propiedades ópticas y eléctricas de materiales, espectroscopías de reflexión, transmisión, elipsométrica y de impedancia. Dirección electrónica: amendoza@qro.cinvestav.mx, amendoza@ciateq.net.mx.

Pérez Robles, Juan Francisco, Dr.,
Instituto Tecnológico de Saltillo (1998). Ciencia de Materiales. (E): Metalurgia. Dirección electrónica: fperez@qro.cinvestav.mx.

Prokhorov, Federovitch Evgen, Dr.,
Universidad de Odessa, Ucra-nia (1979). Física. (E): Radio-física y electrónica. Dirección elec-trónica: prokhorov@qro.cinvestav.mx, prokhorov@ciateq.net.mx

Torres Delgado, Gerardo, Dr.,
Cinvestav-IPN (1989). Física. (E): Física de semiconductores. Dirección electrónica: gtorres@qro.cinvestav.mx, torres@ciateq.net.mx.

Trápaga Martínez, Luis Gerardo, Dr.,
Instituto de Tecnología de Massachusetts, EUA (1990). Ciencia de Materiales. (E): Simulación y análisis de operaciones de procesamiento de materiales. Dirección electrónica: trapaga@qro.cinvestav.mx, trapaga@ciateq.net.mx

Vorobiev, Vasilievitch Yuri, Dr.,
Instituto de Semiconductores, Kiev, Ucrania (1984). Física. (E): Física de semiconductores. Dirección electrónica: vorobiev@qro.cinvestav.mx, vorobiev@ciateq.net.mx.

Yáñez Limón, José Martín, Dr.,
Cinvestav-IPN (1995). Física. (E): Caracterización de materiales por técnicas fototérmicas (lente térmico, fotoacústica, piroeléctrica). Dirección electrónica: jmyanez@ciateq.net.mx.

Gorley, Petro, Dr.,
Chernivtsi State University (Universidad Nacional de Chernivtsy, Ucrania).

Horley, Paul, Dr.,
Chernivtsi State University (Universidad Nacional de Chernivtsi , Ucrania).

Kovalenko, Yuri, Dr.,
Dnepropetrovsk State University, Dnepropetrovsk, Ukraine.

Sotelo Lerma, Mérida, Dra.,
Centro de Investigación en Polímeros y Materiales, Universidad de Sonora.

Instalaciones

biblioteca: 735 volúmenes, 9 suscripciones a publicaciones periódicas. Acceso vía Internet a revistas internacionales especializadas del área y afines. Consulta y acceso por esta vía al catálogo general del CINVESTAV, en el que están incluidos los acervos bibliográficos de todas las unidades del CINVESTAV en el país.

cómputo: 100 computadoras personales, todas con acceso a Internet.

laboratorios:

• Lab. de Propiedades Eléctricas: Analizadores de impedancia, caracterización eléctrica de semiconductores, efecto Hall, controladores de temperatura, corrientes transitorias.
• Lab. de Propiedades Estructurales y Microscopia: Difractómetro de rayos-X, microscopia de fuerza atómica, microscopio electrónico de barrido, nanoscopio, microscopio óptico metalográfico, microdurómetro.
• Lab. de Propiedades Ópticas: Espectroscopias micro-Raman, UV-VIS, FTIR, elipsometría, reflexión, transmisión y fotoacústica.
• Lab. de Propiedades Fototérmicas: Difusividad térmica, espectroscopia de lente térmica, espectroscopia Raman, luminiscencia, detección fotopiroeléctrica, espectrómetro para reflectancia difusa y fluorescencia.
• Lab. de Crecimiento de Películas Delgadas: Tres sistemas de sputtering, sistema de arco eléctrico, sistema de epitaxia en fase líquida, spray pirolisis.
• Lab. de Propiedades Físico Químicas: Texturómetro, viscosímetro, electroforesis, balanzas analíticas, Aqualab, mufla rotavapor, baño maría, estufas para deshidratación, HPLC, espectrofotómetro UV-VIS, colorímetro, fluorímetro.
• Lab. de Procesamiento de Materiales Orgánicos: Molinos de diferentes tipos, mezcladores, extrusores y hornos secador flash, rota vapor, tortilladora, estufa, refrigerador y congelador de almacenamiento.
• Lab. de Química de Materiales: Depósito de películas por sol-gel y baño químico, hornos, muflas, molino de bolas, viscosímetro, espectrómetro de absorción atómica, planta piloto para procesamiento de materiales con fluidos supercríticos.
• Lab. de Materiales Compuestos: Hornos para tratamientos térmicos con atmósfera controlada, generador de CO, horno aire-gas samblasteadora, equipos de mezclado, equipo de resistencia a la compresión, molinos especiales, sistema para aleado mecánico con molino de bolas en atmósfera controlada.